技术参数/针脚数： | 3 |
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技术参数/极性： | NPN |
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技术参数/耗散功率： | 250 mW |
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技术参数/击穿电压(集电极-发射极)： | 160 V |
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技术参数/集电极最大允许电流： | 0.3A |
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技术参数/直流电流增益(hFE)： | 80 |
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技术参数/工作温度(Max)： | 150 ℃ |
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封装参数/安装方式： | Surface Mount |
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封装参数/引脚数： | 3 |
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封装参数/封装： | SOT-23 |
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外形尺寸/封装： | SOT-23 |
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其他/产品生命周期： | Unknown |
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其他/包装方式： | Cut Tape (CT) |
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符合标准/RoHS标准： | RoHS Compliant |
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符合标准/含铅标准： | Lead Free |
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符合标准/REACH SVHC标准： | No SVHC |
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符合标准/REACH SVHC版本： | 2015/12/17 |
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| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
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UMW | 功能相似 | SOT-23-3 |
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR MMBT5551 单晶体管 双极, NPN, 160 V, 100 MHz, 350 mW, 600 mA, 250 hFE
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MMBT5551
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ST Microelectronics (意法半导体) | 功能相似 | SOT-23-3 |
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR MMBT5551 单晶体管 双极, NPN, 160 V, 100 MHz, 350 mW, 600 mA, 250 hFE
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GMR Semiconductor (金誉半导体) | 功能相似 | SOT-23-3 |
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR MMBT5551 单晶体管 双极, NPN, 160 V, 100 MHz, 350 mW, 600 mA, 250 hFE
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FMS (美丽微) | 功能相似 | SOT-23-3 |
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR MMBT5551 单晶体管 双极, NPN, 160 V, 100 MHz, 350 mW, 600 mA, 250 hFE
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||
MMBT5551
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CJ/江苏长电/长晶 | 功能相似 | SOT-23 |
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR MMBT5551 单晶体管 双极, NPN, 160 V, 100 MHz, 350 mW, 600 mA, 250 hFE
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Bourns J.W. Miller (伯恩斯) | 功能相似 | SOT-23 |
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR MMBT5551 单晶体管 双极, NPN, 160 V, 100 MHz, 350 mW, 600 mA, 250 hFE
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GUANGDONG HOTTECH INDUSTRIAL | 功能相似 | SOT-23-3 |
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR MMBT5551 单晶体管 双极, NPN, 160 V, 100 MHz, 350 mW, 600 mA, 250 hFE
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BORN (伯恩半导体) | 功能相似 | SOT-23 |
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR MMBT5551 单晶体管 双极, NPN, 160 V, 100 MHz, 350 mW, 600 mA, 250 hFE
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MMBT5551-7-F
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Diodes Zetex (捷特科) | 功能相似 | SOT-23 |
三极管
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MMBT5551-TP
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MCC | 功能相似 | SOT-23 |
MICRO COMMERCIAL COMPONENTS MMBT5551-TP 双极性晶体管, NPN, 160VDC, SOT-23
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PMBT5550
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Nexperia (安世) | 类似代替 | SOT-23 |
NXP PMBT5550 单晶体管 双极, NPN, 140 V, 300 MHz, 250 mW, 300 mA, 60 hFE
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NXP (恩智浦) | 完全替代 | TO-236 |
Trans GP BJT NPN 140V 0.3A Automotive 3Pin TO-236AB T/R
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