技术参数/额定电压(DC)： | 40.0 V |
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技术参数/额定电流： | 50.0 mA |
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技术参数/额定功率： | 350 mW |
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技术参数/击穿电压： | -40.0 V|40 V |
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技术参数/极性： | N-Channel |
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技术参数/耗散功率： | 350 mW |
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技术参数/漏源极电压(Vds)： | 40.0 V |
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技术参数/栅源击穿电压： | 40.0 V |
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技术参数/连续漏极电流(Ids)： | 600 mA |
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技术参数/额定功率(Max)： | 350 mW |
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技术参数/工作温度(Max)： | 150 ℃ |
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技术参数/工作温度(Min)： | -55 ℃ |
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技术参数/耗散功率(Max)： | 350 mW |
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封装参数/安装方式： | Surface Mount |
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封装参数/引脚数： | 3 |
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封装参数/封装： | SOT-23-3 |
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外形尺寸/长度： | 2.92 mm |
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外形尺寸/宽度： | 1.3 mm |
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外形尺寸/高度： | 0.93 mm |
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外形尺寸/封装： | SOT-23-3 |
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物理参数/工作温度： | -55℃ ~ 150℃ |
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其他/产品生命周期： | Active |
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其他/包装方式： | Tape & Reel (TR) |
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符合标准/RoHS标准： | RoHS Compliant |
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符合标准/含铅标准： | Lead Free |
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符合标准/REACH SVHC标准： | No SVHC |
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符合标准/REACH SVHC版本： | 2015/06/15 |
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海关信息/ECCN代码： | ECL99 |
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| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
MMBFJ201
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Fairchild (飞兆/仙童) | 类似代替 | SOT-23-3 |
ON Semiconductor MMBFJ201 N通道 JFET 晶体管, Idss: 0.3 → 1.5mA, 3引脚 SOT-23封装
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PMBFJ111,215
|
NXP (恩智浦) | 功能相似 | SOT-23-3 |
PMBFJ111,215 N通道 JFET 晶体管 40 V, 3引脚 TO-236AB封装 min. 20mA
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SST201-T1-E3
|
VISHAY (威世) | 类似代替 | TO-236 |
晶体管, JFET, -40V, TO-236, 整卷
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||
SST201-T1-E3
|
Vishay Siliconix | 类似代替 | SOT-23-3 |
晶体管, JFET, -40V, TO-236, 整卷
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