封装参数/封装: | TO-252 |
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外形尺寸/封装: | TO-252 |
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其他/FET类型: | P-Channel |
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其他/Vgs(最大值): | ±20V |
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其他/Rds On(Max)@Id,Vgs: | 1.2 Ohms @ 1.9A,10V |
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其他/连续漏极电流Id: | 3.1A(Tc) |
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其他/漏源极电压Vds: | 100V |
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其他/工作温度: | -55℃~150℃ |
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其他/封装/外壳: | TO-252-3 |
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其他/Vgs(th): | 4V @ 250uA |
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其他/Pd-功率耗散(Max): | 2.5W(Ta),25W(Tc) |
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符合标准/RoHS标准: | Non-Compliant |
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符合标准/含铅标准: | Contains Lead |
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型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 |
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