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首页   电子元器件分类   IRFD9120
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型号： IRFD9120
描述： 功率MOSFET Power MOSFET
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品 牌： VISHAY (威世)
封 装： DIP-4
货 期：
包装方式：
标准包装数： 1
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封装参数/封装：

DIP-4

 

外形尺寸/封装：

DIP-4

 

其他/FET类型：

P-Channel

 

其他/Vgs(最大值)：

±20V

 

其他/Rds On(Max)@Id,Vgs：

600 mOhms @ 600mA,10V

 

其他/连续漏极电流Id：

1A(Ta)

 

其他/漏源极电压Vds：

100V

 

其他/工作温度：

-55℃~175℃

 

其他/封装/外壳：

4-DIP

 

其他/Vgs(th)：

4V @ 250uA

 

其他/Pd-功率耗散(Max)：

1.3W

 

符合标准/RoHS标准：

Non-Compliant

 

符合标准/含铅标准：

Contains Lead

 

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型号 品牌 相似度 封装 简介 数据手册
IRFD9120PBF IRFD9120PBF Infineon (英飞凌) 类似代替 DIP
MOSFET P-CH 100V 1A 4-DIP
IRFD9120PBF IRFD9120PBF LiteOn (光宝) 类似代替 HVMDIP-4
MOSFET P-CH 100V 1A 4-DIP
IRFD9120PBF IRFD9120PBF Vishay Precision Group 类似代替 Through Hole
MOSFET P-CH 100V 1A 4-DIP
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IRFD9120 IRFD9120 VISHAY (威世) 类似代替 DIP-4
P沟道 100V 1A
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