技术参数/额定电压(DC)： | -100 V |
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技术参数/额定电流： | -1.10 A |
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技术参数/极性： | P-Channel |
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技术参数/耗散功率： | 3.10 W |
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技术参数/漏源极电压(Vds)： | 100 V |
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技术参数/漏源击穿电压： | -100 V |
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技术参数/连续漏极电流(Ids)： | 1.10 A |
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技术参数/上升时间： | 27.0 ns |
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封装参数/安装方式： | Surface Mount |
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封装参数/引脚数： | 4 |
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封装参数/封装： | SOT-223 |
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外形尺寸/封装： | SOT-223 |
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符合标准/RoHS标准： | Non-Compliant |
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符合标准/含铅标准： | Contains Lead |
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| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
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IRFL9110PBF
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Vishay Siliconix | 完全替代 | TO-261-4 |
MOSFET P-CH 100V 1.1A SOT223
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IRFL9110PBF
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International Rectifier (国际整流器) | 完全替代 | SOT-223 |
MOSFET P-CH 100V 1.1A SOT223
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IRFL9110PBF
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Vishay Semiconductor (威世) | 完全替代 | SOT-223 |
MOSFET P-CH 100V 1.1A SOT223
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IRFL9110TR
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Vishay Siliconix | 完全替代 | TO-261-4 |
MOSFET P-CH 100V 1.1A SOT223
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IRFL9110TR
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International Rectifier (国际整流器) | 完全替代 | SOT-223 |
MOSFET P-CH 100V 1.1A SOT223
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STN1NF10
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ST Microelectronics (意法半导体) | 功能相似 | TO-261-4 |
STMICROELECTRONICS STN1NF10 晶体管, MOSFET, N沟道, 500 mA, 100 V, 700 mohm, 10 V, 3 V
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