技术参数/针脚数： | 6 |
|
技术参数/漏源极电阻： | 0.115 Ω |
|
技术参数/耗散功率： | 0.96 W |
|
技术参数/阈值电压： | 900 mV |
|
技术参数/漏源极电压(Vds)： | 20 V |
|
技术参数/上升时间： | 13 ns |
|
技术参数/输入电容(Ciss)： | 467pF @10V(Vds) |
|
技术参数/额定功率(Max)： | 700 mW |
|
技术参数/下降时间： | 8 ns |
|
技术参数/工作温度(Max)： | 150 ℃ |
|
技术参数/工作温度(Min)： | -55 ℃ |
|
技术参数/耗散功率(Max)： | 960 mW |
|
封装参数/安装方式： | Surface Mount |
|
封装参数/引脚数： | 6 |
|
封装参数/封装： | TSOT-23-6 |
|
外形尺寸/长度： | 3 mm |
|
外形尺寸/宽度： | 1.7 mm |
|
外形尺寸/高度： | 1 mm |
|
外形尺寸/封装： | TSOT-23-6 |
|
物理参数/工作温度： | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
|
其他/产品生命周期： | Active |
|
其他/包装方式： | Tape & Reel (TR) |
|
其他/制造应用： | 电源管理, 工业 |
|
符合标准/RoHS标准： | RoHS Compliant |
|
符合标准/含铅标准： | Lead Free |
|
| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
Rochester (罗切斯特) | 类似代替 | SOT |
ON Semiconductor PowerTrench 系列 双 Si P沟道 MOSFET FDC6318P, 2.5 A, Vds=12 V, 6引脚 SOT-23封装
|
||
FDC6306P
|
ON Semiconductor (安森美) | 类似代替 | TSOT-23-6 |
ON Semiconductor PowerTrench 系列 双 Si P沟道 MOSFET FDC6306P, 1.9 A, Vds=20 V, 6引脚 SOT-23封装
|
©Copyright 2013-2025 亿配芯城（深圳）电子科技有限公司 粤ICP备17008354号
最有帮助的评价