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型号: FDC6303N
描述: 数字 FET,Fairchild Semiconductor ### MOSFET 晶体管,Fairchild Semiconductor Fairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 (>250V) 低电压 (<250V) 类型。 先进的硅技术提供更小的芯片尺寸,其整合到多种工业标准和耐热增强型封装中。 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
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封 装: TSOT-23-6
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包装方式: Tape & Reel (TR)
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技术参数/针脚数:

6

 

技术参数/漏源极电阻:

0.45 Ω

 

技术参数/耗散功率:

900 mW

 

技术参数/阈值电压:

800 mV

 

技术参数/漏源极电压(Vds):

25 V

 

技术参数/上升时间:

8.5 ns

 

技术参数/输入电容(Ciss):

50pF @10V(Vds)

 

技术参数/额定功率(Max):

700 mW

 

技术参数/下降时间:

13 ns

 

技术参数/工作温度(Max):

150 ℃

 

技术参数/工作温度(Min):

-55 ℃

 

技术参数/耗散功率(Max):

900 mW

 

封装参数/安装方式:

Surface Mount

 

封装参数/引脚数:

6

 

封装参数/封装:

TSOT-23-6

 

外形尺寸/长度:

3 mm

 

外形尺寸/宽度:

1.7 mm

 

外形尺寸/高度:

1 mm

 

外形尺寸/封装:

TSOT-23-6

 

物理参数/工作温度:

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

 

其他/产品生命周期:

Active

 

其他/包装方式:

Tape & Reel (TR)

 

其他/制造应用:

工业, 电源管理

 

符合标准/RoHS标准:

RoHS Compliant

 

符合标准/含铅标准:

Lead Free

 

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