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型号： 2SK1058
描述： 硅N沟道MOS FET Silicon N Channel MOS FET
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品 牌： Renesas Electronics (瑞萨电子)
封 装： TO-3
货 期：
包装方式： Bulk
标准包装数： 1
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技术参数/额定电压(DC)：

160 V

 

技术参数/额定电流：

7.00 A

 

技术参数/漏源极电压(Vds)：

160 V

 

技术参数/连续漏极电流(Ids)：

7.00 A

 

技术参数/输入电容(Ciss)：

600pF @10V(Vds)

 

技术参数/额定功率(Max)：

100 W

 

封装参数/安装方式：

Through Hole

 

封装参数/引脚数：

3

 

封装参数/封装：

TO-3

 

外形尺寸/封装：

TO-3

 

其他/产品生命周期：

Unknown

 

其他/包装方式：

Bulk

 

符合标准/RoHS标准：

Non-Compliant

 

符合标准/含铅标准：

Contains Lead

 

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型号 品牌 相似度 封装 简介 数据手册
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