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技术参数/漏源极电压(Vds):
20 V
封装参数/封装:
SOIC-8
外形尺寸/封装:
其他/产品分类:
分立半导体产品 晶体管
其他/封装/外壳:
SOIC-8(0.154", 3.90mm Width)
其他/FET类型:
P沟道
其他/漏源极电压(Vdss):
-20V
其他/漏极电流 Id(最大值):
-3A
其他/导通电阻 Rds(on):
90毫欧
其他/栅源电压 Vgss:
±12V
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