技术参数/额定电压(DC)： | 100 V |
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技术参数/额定电流： | 2.00 A |
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技术参数/极性： | N-Channel |
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技术参数/耗散功率： | 1750 mW |
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技术参数/击穿电压(集电极-发射极)： | 100 V |
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技术参数/集电极最大允许电流： | 2A |
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技术参数/最小电流放大倍数(hFE)： | 1000 |
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技术参数/最大电流放大倍数(hFE)： | 12000 |
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技术参数/工作温度(Max)： | 150 ℃ |
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技术参数/工作温度(Min)： | -65 ℃ |
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技术参数/增益带宽： | 25MHz (Min) |
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技术参数/耗散功率(Max)： | 1750 mW |
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封装参数/安装方式： | Surface Mount |
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封装参数/引脚数： | 3 |
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封装参数/封装： | DPAK-3 |
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外形尺寸/封装： | DPAK-3 |
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其他/产品生命周期： | Unknown |
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其他/包装方式： | Tube |
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其他/最小包装： | 2500 |
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符合标准/RoHS标准： | Non-Compliant |
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符合标准/含铅标准： | Contains Lead |
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海关信息/ECCN代码： | EAR99 |
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| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
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CJ (长电科技) | 功能相似 | TO-252-2 |
SILICON POWER TRANSISTORS 2 AMPERES 100 VOLTS 20W
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MJD112G
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ON Semiconductor (安森美) | 类似代替 | TO-252-3 |
NPN 复合晶体管，On Semiconductor ### 标准 带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格，符合 AEC-Q101 标准。 ### 双极性晶体管，On Semiconductor ON Semiconductor 的各种双极晶体管，包括以下类别： 小信号晶体管 通用晶体管 双 NPN 和 PNP 晶体管 功率晶体管 高电压晶体管 射频双极晶体管 低噪声，双匹配和复杂的双极晶体管
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MJD112
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ON Semiconductor (安森美) | 功能相似 | DPAK-3 |
SILICON POWER TRANSISTORS 2 AMPERES 100 VOLTS 20W
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Motorola (摩托罗拉) | 功能相似 |
SILICON POWER TRANSISTORS 2 AMPERES 100 VOLTS 20W
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