技术参数/工作电压： | 2.7V ~ 3.6V |
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技术参数/针脚数： | 8 |
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技术参数/时钟频率： | 104 MHz |
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技术参数/存取时间(Max)： | 8 ns |
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技术参数/工作温度(Max)： | 85 ℃ |
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技术参数/工作温度(Min)： | -40 ℃ |
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技术参数/电源电压： | 2.7V ~ 3.6V |
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技术参数/电源电压(Max)： | 3.6 V |
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技术参数/电源电压(Min)： | 2.3 V |
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封装参数/安装方式： | Surface Mount |
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封装参数/引脚数： | 8 |
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封装参数/封装： | SOIC-8 |
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外形尺寸/封装： | SOIC-8 |
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物理参数/工作温度： | -40℃ ~ 85℃ |
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其他/产品生命周期： | Unknown |
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其他/包装方式： | Tape & Reel (TR) |
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符合标准/RoHS标准： | RoHS Compliant |
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符合标准/含铅标准： | 无铅 |
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海关信息/ECCN代码： | 3A991.b.1.a |
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| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
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SST26VF016B-104I/SM
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Microchip (微芯) | 类似代替 | SOIC-8 |
SST26VF016B/032B/064B 串行四路输入/输出 (SQI) SuperFlash® 存储器 Microchip 的 SST26VF016B/032B/064B 系列设备是串行四路 I/O™ (SQI™) SuperFlash® 存储 IC，具有六线、4 位输入/输出接口，允许在紧凑型低引脚技术封装中执行低功率、高性能操作。 Microchip SQI™ 接口的使用使性能高达 104 MHz 并实现低延时 execute-in-place (XIP) 功能，带最小处理器缓冲存储。 这些闪存芯片还支持全命令集功能，用于传统串行外围接口 (SPI) 协议。 通过使用 SuperFlash® 技术，这些设备可提供卓越的擦除时间，与其他闪存备选设备相比，非常有利。 扇区和块擦除命令通常在18 ms 内完成，全芯片擦除操作通常需要 35 ms。 ### 特点 串行接口体系结构 - 半字节多路复用输入/输出，带 SPI 串行命令结构 x1/x2/x4 串行外围接口 (SPI) 协议 高速时钟频率 - 最大 104 MHz 脉冲串模式 低功耗 – 有源读取 15 mA（104 MHz 时典型），待机 15 μA（典型） 快速擦除时间 - 扇区/块擦除：18 ms（典型）；芯片擦除 35 ms（典型） 灵活的擦除能力 软件写入保护 ### 闪存，Microchip
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SST25VF016B-50-4I-S2AF
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Silicon Storage Tech | 类似代替 | SOIC |
MICROCHIP SST25VF016B-50-4I-S2AF 闪存, 16 Mbit, 2M x 8位, 50 MHz, 串行, SPI, SOIC, 8 引脚
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SST25VF016B-75-4I-S2AF
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Silicon Storage Tech | 类似代替 | SOIC |
MICROCHIP SST25VF016B-75-4I-S2AF. 闪存, 16 Mbit, 75 MHz, SPI, SOIC, 8 引脚
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