技术参数/电源电压(DC)： | 1.70V (min) |
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技术参数/供电电流： | 30 mA |
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技术参数/针脚数： | 48 |
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技术参数/时钟频率： | 40 MHz |
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技术参数/位数： | 8 |
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技术参数/存取时间： | 25 µs |
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技术参数/工作温度(Max)： | 85 ℃ |
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技术参数/工作温度(Min)： | -40 ℃ |
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技术参数/电源电压： | 2.7V ~ 3.6V |
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技术参数/电源电压(Max)： | 1.95 V |
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技术参数/电源电压(Min)： | 1.7 V |
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封装参数/安装方式： | Surface Mount |
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封装参数/引脚数： | 48 |
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封装参数/封装： | TSOP-48 |
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外形尺寸/长度： | 18.5 mm |
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外形尺寸/宽度： | 12.1 mm |
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外形尺寸/高度： | 1.05 mm |
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外形尺寸/封装： | TSOP-48 |
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物理参数/工作温度： | -40℃ ~ 85℃ |
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其他/产品生命周期： | Unknown |
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其他/包装方式： | Tray |
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其他/制造应用： | 通信与网络, 消费电子产品, 计算机和计算机周边, Computers & Computer Peripherals, Industrial, Communications & Networking, Consumer Electronics, 工业 |
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符合标准/RoHS标准： | RoHS Compliant |
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符合标准/含铅标准： | Lead Free |
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海关信息/ECCN代码： | 3A991.b.1.a |
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| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
S34ML08G101TFI003
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Spansion (飞索半导体) | 完全替代 | TSOP1 |
S34ML08G1 Series 8GB (1G x 8) 3.6V SMT NAND Flash Memory - TSOP-48
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S34ML08G101TFI200
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Spansion (飞索半导体) | 类似代替 | TSOP-48 |
闪存, 与非, SLC NAND, 8 Gbit, 1G x 8位, 并行, TSOP, 48 引脚
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S34ML08G101TFI200
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Cypress Semiconductor (赛普拉斯) | 类似代替 | TSOP-48 |
闪存, 与非, SLC NAND, 8 Gbit, 1G x 8位, 并行, TSOP, 48 引脚
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S34ML08G101TFI203
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Spansion (飞索半导体) | 完全替代 | TSOP-48 |
SLC NAND Flash Parallel 3V/3.3V 8Gbit 1G x 8Bit 48Pin TSOP-I T/R
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