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描述: DDR DRAM, 64MX16, 5ns, CMOS, PBGA60, 8 X 10MM, LEAD FREE, MO-207, TFBGA-60
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封 装: BGA-60
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包装方式: Tray
标准包装数: 1
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技术参数/供电电流:

85 mA

 

技术参数/位数:

16

 

技术参数/存取时间:

5 ns

 

技术参数/存取时间(Max):

5ns, 8ns

 

技术参数/工作温度(Max):

85 ℃

 

技术参数/工作温度(Min):

-40 ℃

 

技术参数/电源电压:

1.7V ~ 1.95V

 

技术参数/电源电压(Max):

1.95 V

 

技术参数/电源电压(Min):

1.7 V

 

封装参数/安装方式:

Surface Mount

 

封装参数/引脚数:

60

 

封装参数/封装:

BGA-60

 

外形尺寸/封装:

BGA-60

 

物理参数/工作温度:

-40℃ ~ 85℃ (TA)

 

其他/产品生命周期:

Active

 

其他/包装方式:

Tray

 

符合标准/RoHS标准:

RoHS Compliant

 

符合标准/含铅标准:

无铅

 

海关信息/ECCN代码:

EAR99

 

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