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描述: VISHAY SIS892ADN-T1-GE3 晶体管, MOSFET, N沟道, 28 A, 100 V, 0.027 ohm, 10 V, 1.5 V
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技术参数/针脚数:

8

 

技术参数/漏源极电阻:

0.027 Ω

 

技术参数/极性:

N-Channel

 

技术参数/耗散功率:

52 W

 

技术参数/阈值电压:

1.5 V

 

技术参数/漏源极电压(Vds):

100 V

 

技术参数/输入电容(Ciss):

550pF @50V(Vds)

 

技术参数/工作温度(Max):

150 ℃

 

技术参数/工作温度(Min):

-55 ℃

 

技术参数/耗散功率(Max):

52 W

 

封装参数/安装方式:

Surface Mount

 

封装参数/引脚数:

8

 

封装参数/封装:

1212

 

外形尺寸/长度:

3.4 mm

 

外形尺寸/宽度:

3.4 mm

 

外形尺寸/高度:

1.12 mm

 

外形尺寸/封装:

1212

 

物理参数/工作温度:

-55℃ ~ 150℃

 

符合标准/RoHS标准:

RoHS Compliant

 

符合标准/含铅标准:

Lead Free

 

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