技术参数/电容： | 160 pF |
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技术参数/击穿电压： | 6.00 V |
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技术参数/针脚数： | 2 |
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技术参数/钳位电压： | 12.5 V |
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技术参数/最大反向击穿电压： | 6 V |
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技术参数/脉冲峰值功率： | 200 W |
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技术参数/最小反向击穿电压： | 6 V |
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封装参数/安装方式： | Surface Mount |
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封装参数/引脚数： | 2 |
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封装参数/封装： | 0402 |
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外形尺寸/封装： | 0402 |
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物理参数/工作温度： | -55℃ ~ 125℃ (TJ) |
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其他/产品生命周期： | Active |
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其他/包装方式： | Tape & Reel (TR) |
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其他/制造应用： | 通用 |
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符合标准/RoHS标准： | RoHS Compliant |
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符合标准/含铅标准： | Lead Free |
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| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
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UCLAMP1211P.TCT
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Semtech Corporation | 类似代替 | 0402 |
Clamp™ 瞬态电压抑制器，用于 ESD 保护，Semtech Semtech 系列 μClamp™ 瞬态电压抑制器二极管可防止过电压损坏敏感电子元件。 由于采用了紧凑型封装，μClamp™ 瞬态电压抑制器二极管特别适用于便携式应用，如移动电话和移动电话附件、笔记本电脑、台式机和服务器。 二极管还可用于带有激光二极管保护和模拟输入的应用。 **μClamp™ 瞬态电压抑制器二极管的功能和优点** 瞬时保护，用于数据线路，符合 IEC 61000-4-2 (ESD) ±15kV（空气），±8kV（触点） IEC 61000-4-4 (EFT) 40A (tp = 5/50ns) 电缆放电事件 (CDE) 超小型封装 (1.0 x 0.6 x 0.5mm) 低漏泄电流 固态硅雪崩技术 ### 瞬态电压抑制器，Semtech
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UCLAMP3311P.TCT
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Semtech Corporation | 类似代替 | 0402 |
Clamp™ 瞬态电压抑制器，用于 ESD 保护，Semtech Semtech 系列 μClamp™ 瞬态电压抑制器二极管可防止过电压损坏敏感电子元件。 由于采用了紧凑型封装，μClamp™ 瞬态电压抑制器二极管特别适用于便携式应用，如移动电话和移动电话附件、笔记本电脑、台式机和服务器。 二极管还可用于带有激光二极管保护和模拟输入的应用。 **μClamp™ 瞬态电压抑制器二极管的功能和优点** 瞬时保护，用于数据线路，符合 IEC 61000-4-2 (ESD) ±15kV（空气），±8kV（触点） IEC 61000-4-4 (EFT) 40A (tp = 5/50ns) 电缆放电事件 (CDE) 超小型封装 (1.0 x 0.6 x 0.5mm) 低漏泄电流 固态硅雪崩技术 ### 瞬态电压抑制器，Semtech
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