技术参数/电源电压(DC)： | 2.70V (min) |
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技术参数/供电电流： | 10 mA |
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技术参数/针脚数： | 48 |
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技术参数/存取时间： | 70 ns |
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技术参数/内存容量： | 4000000 B |
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技术参数/存取时间(Max)： | 70 ns |
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技术参数/工作温度(Max)： | 85 ℃ |
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技术参数/工作温度(Min)： | -40 ℃ |
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技术参数/电源电压： | 2.7V ~ 3.6V |
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技术参数/电源电压(Max)： | 3.6 V |
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技术参数/电源电压(Min)： | 2.7 V |
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封装参数/安装方式： | Surface Mount |
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封装参数/引脚数： | 48 |
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封装参数/封装： | TFBGA-48 |
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外形尺寸/封装： | TFBGA-48 |
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物理参数/工作温度： | -40℃ ~ 85℃ (TA) |
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其他/产品生命周期： | Active |
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其他/包装方式： | Tray |
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符合标准/RoHS标准： | RoHS Compliant |
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符合标准/含铅标准： | PB free |
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符合标准/REACH SVHC标准： | No SVHC |
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符合标准/REACH SVHC版本： | 2015/12/17 |
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| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
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ST Microelectronics (意法半导体) | 完全替代 | TFBGA-48 |
MICRON M29W320ET70ZE6E 闪存, 引导块, 非, 32 Mbit, 4M x 8位 / 2M x 16位, CFI, 并行, TFBGA, 48 引脚
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Numonyx | 完全替代 | TFBGA-48 |
NOR Flash Parallel 3V/3.3V 32Mbit 4M/2M x 8Bit/16Bit 70ns 48Pin TFBGA Tray
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ST Microelectronics (意法半导体) | 完全替代 | TFBGA |
NOR Flash Parallel 3V/3.3V 32M-bit 4M x 8/2M x 16 70ns 48Pin TFBGA Tray
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M29W320ET70ZE6E
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Micron (镁光) | 完全替代 | TFBGA-48 |
MICRON M29W320ET70ZE6E 闪存, 引导块, 非, 32 Mbit, 4M x 8位 / 2M x 16位, CFI, 并行, TFBGA, 48 引脚
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ST Microelectronics (意法半导体) | 完全替代 | TFBGA-48 |
NOR Flash Parallel 3V/3.3V 32Mbit 4M/2M x 8Bit/16Bit 70ns 48Pin TFBGA Tray
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