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首页   主动器件   存储芯片   Flash芯片   TC58NVG0S3EBAI4
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型号： TC58NVG0S3EBAI4
描述： Toshiba ### 快闪存储器 闪存 IC 是非易失 RAM，必须按块写入/擦除。 它有限定的写入周期的次数，适用于不经常更改的程序存储。
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品 牌： Toshiba (东芝)
封 装： BGA
货 期：
包装方式：
标准包装数： 1
39  元 39元
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  • 数量： 库存(7715) 起订量(1)
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技术参数/工作温度(Max)：

85 ℃

 

技术参数/工作温度(Min)：

-40 ℃

 

技术参数/电源电压：

3.3 V

 

封装参数/安装方式：

Surface Mount

 

封装参数/引脚数：

63

 

封装参数/封装：

BGA

 

外形尺寸/长度：

11 mm

 

外形尺寸/宽度：

9 mm

 

外形尺寸/高度：

0.74 mm

 

外形尺寸/封装：

BGA

 

物理参数/工作温度：

-40℃ ~ 85℃

 

其他/产品生命周期：

Active

 

符合标准/RoHS标准：

RoHS Compliant

 

海关信息/香港进出口证：

NLR

 

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适配器型号: UHD-NAND-BG63A 支持的编程器: ALL-300G
适配器型号: DX5046 支持的编程器: SUPERPRO/6100N
适配器型号: DX5046 支持的编程器: SUPERPRO/6104N
适配器型号: GX5046 支持的编程器: SUPERPRO/7500
适配器型号: GX5046-T001-S4 支持的编程器: SUPERPRO/7500
适配器型号: GX5046 支持的编程器: SUPERPRO/7500N
适配器型号: GX5046-T001-S4 支持的编程器: SUPERPRO/7500N
适配器型号: GX5046 支持的编程器: SUPERPRO/7504N
适配器型号: GX5046-T001-S4 支持的编程器: SUPERPRO/7504N

替代料

型号 品牌 相似度 封装 简介 数据手册
NAND01GW3A2CZA1F NAND01GW3A2CZA1F ST Microelectronics (意法半导体) 功能相似 BGA
128兆， 256兆， 512兆， 1千兆（ X8 / X16 ）， 528字节/字264页， 1.8V / 3V ， NAND闪存 128 Mbit, 256 Mbit, 512 Mbit, 1 Gbit (x8/x16) 528 Byte/264 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memories
NAND01GW3B2BZA6F NAND01GW3B2BZA6F ST Microelectronics (意法半导体) 类似代替 TFBGA
NAND Flash Parallel 3V/3.3V 1Gbit 128M x 8Bit 25us 63Pin VFBGA T/R

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