封装参数/封装： | SO-8 |
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外形尺寸/封装： | SO-8 |
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其他/구성： | Single |
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其他/Case/Package： | PowerPAK SO-8 |
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其他/Packaging： | Reel |
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其他/시리즈： | SIRxxxDP |
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其他/Brand： | Vishay Semiconductors |
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其他/순방향 트랜스컨덕턴스 - 최소： | 56 S |
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其他/장착 스타일： | SMD/SMT |
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其他/트랜지스터 극성： | N-Channel |
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其他/하강 시간： | 20 ns |
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其他/Id - 연속 드레인 전류： | 60 A |
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其他/제조업체： | Vishay |
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其他/최대 작동 온도： | 150 C |
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其他/최소 작동 온도： | 55 C |
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其他/Pd - 전력 발산： | 104 W |
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其他/제품 카테고리： | N-Channel MOSFETs |
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其他/Qg - Gate Charge： | 47.5 nC |
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其他/Rds On - Drain-Source 저항： | 7.8 mOhms |
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其他/상승 시간： | 18 ns |
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其他/Standard Pack Qty： | 3000 |
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其他/표준 턴-오프 지연 시간： | 36 ns |
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其他/Vds - 드레인-소스 항복 전압： | 100 V |
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其他/Vgs - 게이트-소스 항복 전압： | 20 V |
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其他/RoHS： | Non-Compliant |
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符合标准/RoHS标准： | Non-Compliant |
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