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描述: VISHAY SIA427DJ-T1-GE3 晶体管, MOSFET, P沟道, -12 A, -8 V, 0.037 ohm, -1.2 V, 350 mV
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封 装: SC-70
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包装方式: Tape & Reel (TR)
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技术参数/针脚数:

6

 

技术参数/漏源极电阻:

0.037 Ω

 

技术参数/极性:

P-Channel

 

技术参数/耗散功率:

19 W

 

技术参数/阈值电压:

350 mV

 

技术参数/上升时间:

20 ns

 

技术参数/输入电容(Ciss):

2300pF @4V(Vds)

 

技术参数/下降时间:

40 ns

 

技术参数/工作温度(Max):

150 ℃

 

技术参数/工作温度(Min):

-55 ℃

 

技术参数/耗散功率(Max):

3500 mW

 

封装参数/引脚数:

6

 

封装参数/封装:

SC-70

 

外形尺寸/高度:

0.75 mm

 

外形尺寸/封装:

SC-70

 

物理参数/工作温度:

-55℃ ~ 150℃

 

其他/包装方式:

Tape & Reel (TR)

 

其他/制造应用:

Industrial, Power Management, Portable Devices

 

符合标准/RoHS标准:

RoHS Compliant

 

符合标准/含铅标准:

Lead Free

 

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