技术参数/额定电压(DC)： | 100 V |
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技术参数/额定电流： | 40.0 A |
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技术参数/针脚数： | 3 |
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技术参数/正向电压： | 0.73V @20A |
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技术参数/最大反向电压（Vrrm）： | 100 V |
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技术参数/正向电流： | 40 A |
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技术参数/最大正向浪涌电流（Ifsm）： | 250 A |
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技术参数/正向电压(Max)： | 730mV @20A |
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技术参数/正向电流(Max)： | 40 A |
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技术参数/工作温度(Max)： | 150 ℃ |
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技术参数/工作温度(Min)： | -40 ℃ |
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封装参数/安装方式： | Surface Mount |
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封装参数/引脚数： | 3 |
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封装参数/封装： | TO-263 |
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外形尺寸/封装： | TO-263 |
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物理参数/工作温度： | -40℃ ~ 150℃ |
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其他/包装方式： | Tube |
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其他/制造应用： | 商业, 电源管理, 工业 |
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符合标准/RoHS标准： |
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符合标准/含铅标准： | Lead Free |
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| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
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VB40100C-E3/8W
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Vishay Siliconix | 类似代替 | Through Hole |
TMBS - Trench MOS 势垒肖特基整流器，30A 至 80A，Vishay Semiconductor Vishay 的 Trench MOS 势垒肖特基 (TMBS) 整流器系列包含专利 Trench 结构。 与平面肖特基整流器相比，TMBS 整流器可提供多个优势。 工作电压为 45V 及更高时平面肖特基整流器就失去了其快速转换速度的优势，且低正向压降到极度程度。 专利型 TMBS 结构通过少量缩减向漂移区域的载体注入来解决这些问题，从而最大程度减少积累电荷并提高转换速度。 专利 Trench 结构 提高交流/直流开关模式电源和直流/直流转换器的效率 高功率密度和低正向电压 ### 特点 ### 肖特基整流器，Vishay Semiconductor
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