技术参数/针脚数： | 3 |
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技术参数/漏源极电阻： | 0.024 Ω |
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技术参数/极性： | P-Channel |
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技术参数/耗散功率： | 3 W |
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技术参数/漏源极电压(Vds)： | 40 V |
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技术参数/栅源击穿电压： | ±20.0 V |
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技术参数/连续漏极电流(Ids)： | -50.0 A |
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技术参数/上升时间： | 380 ns |
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技术参数/输入电容(Ciss)： | 5400pF @25V(Vds) |
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技术参数/额定功率(Max)： | 3 W |
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技术参数/下降时间： | 140 ns |
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技术参数/工作温度(Max)： | 175 ℃ |
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技术参数/工作温度(Min)： | -55 ℃ |
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技术参数/耗散功率(Max)： | 3000 mW |
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封装参数/安装方式： | Surface Mount |
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封装参数/引脚数： | 3 |
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封装参数/封装： | TO-252-3 |
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外形尺寸/封装： | TO-252-3 |
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物理参数/工作温度： | -55℃ ~ 175℃ (TJ) |
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其他/包装方式： | Tape & Reel (TR) |
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其他/最小包装： | 2000 |
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其他/制造应用： | 电源管理, 工业 |
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符合标准/RoHS标准： |
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符合标准/含铅标准： | Lead Free |
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符合标准/REACH SVHC标准： | No SVHC |
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| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
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Vishay Intertechnology | 类似代替 | TO-252-3 |
P 通道 MOSFET，30V 至 80V，Vishay Semiconductor ### MOSFET 晶体管，Vishay Semiconductor
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SUD50P04-08-GE3
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VISHAY (威世) | 类似代替 | TO-252-3 |
P 通道 MOSFET，30V 至 80V，Vishay Semiconductor ### MOSFET 晶体管，Vishay Semiconductor
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||
SUD50P04-08-GE3
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Vishay Siliconix | 类似代替 | TO-252-3 |
P 通道 MOSFET，30V 至 80V，Vishay Semiconductor ### MOSFET 晶体管，Vishay Semiconductor
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