封装参数/封装： | SOT-363-6 |
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外形尺寸/封装： | SOT-363-6 |
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其他/구성： | Dual |
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其他/Case/Package： | SOT-363-6 |
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其他/Packaging： | Reel |
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其他/시리즈： | SI19xxDx |
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其他/Brand： | Vishay / Siliconix |
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其他/장착 스타일： | SMD/SMT |
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其他/트랜지스터 극성： | N-Channel |
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其他/Channel Mode： | Enhancement |
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其他/하강 시간： | 16 ns |
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其他/Id - 연속 드레인 전류： | 700 mA |
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其他/제조업체： | Vishay |
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其他/최대 작동 온도： | 150 C |
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其他/최소 작동 온도： | 55 C |
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其他/Pd - 전력 발산： | 270 mW |
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其他/제품 카테고리： | Dual MOSFETs |
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其他/Rds On - Drain-Source 저항： | 385 mOhms |
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其他/상승 시간： | 16 ns |
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其他/Standard Pack Qty： | 3000 |
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其他/상표명： | TrenchFET |
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其他/표준 턴-오프 지연 시간： | 10 ns |
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其他/Vds - 드레인-소스 항복 전압： | 20 V |
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其他/Vgs - 게이트-소스 항복 전압： | 12 V |
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其他/RoHS： | Compliant |
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符合标准/RoHS标准： | RoHS Compliant |
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| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
FDG6335N
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ON Semiconductor (安森美) | 功能相似 | SC-70-6 |
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDG6335N 双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 700 mA, 20 V, 0.18 ohm, 4.5 V, 1.1 V
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NTJD4001NT1G
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ON Semiconductor (安森美) | 功能相似 | SC-70-6 |
ON SEMICONDUCTOR NTJD4001NT1G 双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 250 mA, 30 V, 1 ohm, 4 V, 1.2 V
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SI1902CDL-T1-GE3
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VISHAY (威世) | 类似代替 | SC-70-6 |
双N沟道20 V （D -S ）的MOSFET Dual N-Channel 20 V (D-S) MOSFET
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FDG6317NZ
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Fairchild (飞兆/仙童) | 功能相似 | SC-70-6 |
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDG6317NZ 双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 700 mA, 20 V, 0.3 ohm, 4.5 V, 1.2 V
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