技术参数/通道数: | 1 |
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技术参数/针脚数: | 3 |
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技术参数/漏源极电阻: | 0.022 Ω |
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技术参数/极性: | N-Channel |
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技术参数/耗散功率: | 1.3 W |
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技术参数/产品系列: | IRLML6344 |
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技术参数/阈值电压: | 800 mV |
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技术参数/漏源极电压(Vds): | 30 V |
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技术参数/输入电容(Ciss): | 650pF @25V(Vds) |
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技术参数/额定功率(Max): | 1.3 W |
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技术参数/工作温度(Max): | 150 ℃ |
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封装参数/安装方式: | Surface Mount |
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封装参数/引脚数: | 3 |
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封装参数/封装: | SOT-23-3 |
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外形尺寸/宽度: | 1.3 mm |
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外形尺寸/封装: | SOT-23-3 |
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其他/产品生命周期: | Active |
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其他/包装方式: | Cut Tape (CT) |
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符合标准/RoHS标准: | RoHS Compliant |
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符合标准/含铅标准: | Lead Free |
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符合标准/REACH SVHC标准: | No SVHC |
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型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
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International Rectifier (国际整流器) | 功能相似 | SOT-23-3 |
N 通道功率 MOSFET 最大 7A,Infineon Infineon 的分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 N 通道设备,外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内,基准导通电阻减少了传导损耗,让设计人员可以提供最佳系统效率。 ### MOSFET 晶体管,Infineon (IR) Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度,且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品,从电动机控制到照明和家用电器。
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