技术参数/额定功率： | 1.25 W |
|
技术参数/针脚数： | 3 |
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技术参数/漏源极电阻： | 0.035 Ω |
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技术参数/极性： | N-Channel |
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技术参数/耗散功率： | 1.25 W |
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技术参数/阈值电压： | 1.2 V |
|
技术参数/输入电容： | 740 pF |
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技术参数/漏源极电压(Vds)： | 20 V |
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技术参数/漏源击穿电压： | 20 V |
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技术参数/连续漏极电流(Ids)： | 4.2A |
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技术参数/上升时间： | 10 ns |
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技术参数/输入电容(Ciss)： | 740pF @15V(Vds) |
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技术参数/额定功率(Max)： | 1.25 W |
|
技术参数/下降时间： | 26 ns |
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技术参数/工作温度(Max)： | 150 ℃ |
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技术参数/工作温度(Min)： | -55 ℃ |
|
技术参数/耗散功率(Max)： | 1.25W (Ta) |
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封装参数/安装方式： | Surface Mount |
|
封装参数/引脚数： | 3 |
|
封装参数/封装： | SOT-23-3 |
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外形尺寸/长度： | 3.04 mm |
|
外形尺寸/封装： | SOT-23-3 |
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物理参数/材质： | Silicon |
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物理参数/工作温度： | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
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其他/产品生命周期： | Active |
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其他/包装方式： | Tape & Reel (TR) |
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其他/制造应用： | 工业, 电源管理, DC Switches, 消费电子产品, Load Switch, 便携式器材 |
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符合标准/RoHS标准： | RoHS Compliant |
|
符合标准/含铅标准： | Lead Free |
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符合标准/REACH SVHC版本： | 2015/12/17 |
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| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
IRLML2502TR
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IRF | 类似代替 |
SOT-23 N-CH 20V 4.2A
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MGSF2N02ELT1G
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ON Semiconductor (安森美) | 功能相似 | SOT-23-3 |
ON SEMICONDUCTOR MGSF2N02ELT1G 晶体管, MOSFET, N沟道, 2.8 A, 20 V, 0.078 ohm, 4.5 V, 1 V
|
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IRLML2502GTRPBF
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Infineon (英飞凌) | 完全替代 | SOT-23-3 |
HEXFET® N 通道功率 MOSFET 最大 50A，Infineon HEXFET® 电源 MOSFET 具有各种坚固的单 N 通道设备，用于为音频、消费电子产品、电动机控制和照明及家用电器提供交流到直流和直流到直流电源。 ### MOSFET 晶体管，Infineon (IR) Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。
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