温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准
收藏
描述: StrongIRFET™ 功率 MOSFET,Infineon Infineon 的 **StrongIRFE** 系列经过优化,RDS(接通)低且载流能力高。 此组合提供更高的栅极、雪崩和动态 dv/dt 耐受性,特别适用于性能和强健性非常重要的工业低频应用,包括电动机驱动器、电动工具、逆变器和电池管理。 ### MOSFET 晶体管,Infineon (IR) Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度,且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品,从电动机控制到照明和家用电器。
商品二维码
封 装: TO-263-3
货 期:
包装方式: Tape & Reel (TR)
标准包装数: 1
3.56  元 3.56元
5-24:
¥ 4.8060
25-49:
¥ 4.4500
50-99:
¥ 4.2008
100-499:
¥ 4.0940
500-2499:
¥ 4.0228
2500-4999:
¥ 3.9338
5000-9999:
¥ 3.8982
≥10000:
¥ 3.8448
数量
5-24
25-49
50-99
100-499
500-2499
价格
4.8060
4.4500
4.2008
4.0940
4.0228
价格 4.8060 4.4500 4.2008 4.0940 4.0228
起批量 5-24 25-49 50-99 100-499 500-2499
  • 运费   有货 运费价格:¥13.00
  • 数量
    库存(9950) 起订量(5)
加入购物车 立即购买
欢迎使用亿配芯城AI助手
芯片AI助手  芯片AI顾问
相关文件下载:
PDF
  • 失望
  • 一般
  • 满意
  • 喜欢
  • 超爱

技术参数/额定功率:

294 W

 

技术参数/针脚数:

3

 

技术参数/漏源极电阻:

0.002 Ω

 

技术参数/极性:

N-Channel

 

技术参数/耗散功率:

294 W

 

技术参数/阈值电压:

3.7 V

 

技术参数/输入电容:

10034 pF

 

技术参数/漏源极电压(Vds):

60 V

 

技术参数/连续漏极电流(Ids):

232A

 

技术参数/上升时间:

134 ns

 

技术参数/输入电容(Ciss):

10034pF @25V(Vds)

 

技术参数/下降时间:

93 ns

 

技术参数/工作温度(Max):

175 ℃

 

技术参数/工作温度(Min):

-55 ℃

 

技术参数/耗散功率(Max):

294 W

 

封装参数/安装方式:

Surface Mount

 

封装参数/引脚数:

3

 

封装参数/封装:

TO-263-3

 

外形尺寸/长度:

10.67 mm

 

外形尺寸/宽度:

9.65 mm

 

外形尺寸/高度:

4.83 mm

 

外形尺寸/封装:

TO-263-3

 

物理参数/材质:

Silicon

 

物理参数/工作温度:

-55℃ ~ 175℃ (TJ)

 

其他/产品生命周期:

Active

 

其他/包装方式:

Tape & Reel (TR)

 

其他/制造应用:

Motor Drive & Control, Power Management

 

符合标准/RoHS标准:

RoHS Compliant

 

符合标准/含铅标准:

Lead Free

 

符合标准/REACH SVHC版本:

2015/12/17

 

最有帮助的评价

  只显示带图评价

最新评价

加载更多

暂时还没有评价

期待你分享科技带来的乐趣

提问
抱歉,没有找到答案,您可以点击“提问”提交此条提问给已经购买者、Suteshop商城官方客服和产品经理,我们会及时回复。

暂时还没有提问

对商品还不太了解,问问看吧

加载更多
    暂无数据

©Copyright 2013-2025 亿配芯城(深圳)电子科技有限公司 粤ICP备17008354号

Scroll

对比栏

展开

对比

清空