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描述: HEXFET® N 通道功率 MOSFET 超过 55A,Infineon ### MOSFET 晶体管,Infineon (IR) Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度,且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品,从电动机控制到照明和家用电器。
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封 装: TO-263-3
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包装方式: Tape & Reel (TR)
标准包装数: 1
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技术参数/额定功率:

200 W

 

技术参数/通道数:

1

 

技术参数/针脚数:

3

 

技术参数/漏源极电阻:

0.0053 Ω

 

技术参数/极性:

N-Channel

 

技术参数/耗散功率:

200 W

 

技术参数/阈值电压:

4 V

 

技术参数/输入电容:

5480 pF

 

技术参数/漏源极电压(Vds):

55 V

 

技术参数/漏源击穿电压:

55 V

 

技术参数/连续漏极电流(Ids):

131A

 

技术参数/上升时间:

190 ns

 

技术参数/输入电容(Ciss):

5480pF @25V(Vds)

 

技术参数/下降时间:

110 ns

 

技术参数/工作温度(Max):

175 ℃

 

技术参数/工作温度(Min):

-55 ℃

 

技术参数/耗散功率(Max):

200W (Tc)

 

封装参数/安装方式:

Surface Mount

 

封装参数/引脚数:

3

 

封装参数/封装:

TO-263-3

 

外形尺寸/长度:

10.67 mm

 

外形尺寸/宽度:

11.3 mm

 

外形尺寸/高度:

4.83 mm

 

外形尺寸/封装:

TO-263-3

 

物理参数/工作温度:

-55℃ ~ 175℃ (TJ)

 

其他/产品生命周期:

Active

 

其他/包装方式:

Tape & Reel (TR)

 

符合标准/RoHS标准:

RoHS Compliant

 

符合标准/含铅标准:

Contains Lead

 

符合标准/REACH SVHC版本:

2015/12/17

 

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