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型号: SUM70030E-GE3
描述: 晶体管, MOSFET, N沟道, 150 A, 100 V, 0.0024 ohm, 10 V, 4 V
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封 装: TO-263
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技术参数/针脚数:

3

 

技术参数/漏源极电阻:

0.0024 Ω

 

技术参数/耗散功率:

375 W

 

技术参数/阈值电压:

4 V

 

技术参数/漏源极电压(Vds):

100 V

 

技术参数/上升时间:

13 ns

 

技术参数/输入电容(Ciss):

10870pF @50V(Vds)

 

技术参数/下降时间:

15 ns

 

技术参数/工作温度(Max):

175 ℃

 

技术参数/工作温度(Min):

-55 ℃

 

技术参数/耗散功率(Max):

375000 mW

 

封装参数/引脚数:

3

 

封装参数/封装:

TO-263

 

外形尺寸/封装:

TO-263

 

符合标准/RoHS标准:

RoHS Compliant

 

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