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型号: RHP020N06T100
描述: 4V驱动N沟道MOSFET 4V Drive Nch MOSFET
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封 装: SOT-89-3
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包装方式: Tape & Reel (TR)
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技术参数/额定电压(DC):

60.0 V

 

技术参数/额定电流:

2.00 A

 

技术参数/通道数:

1

 

技术参数/针脚数:

3

 

技术参数/漏源极电阻:

0.34 Ω

 

技术参数/极性:

N-Channel

 

技术参数/耗散功率:

2 W

 

技术参数/阈值电压:

2.5 V

 

技术参数/漏源极电压(Vds):

60 V

 

技术参数/漏源击穿电压:

60.0 V

 

技术参数/连续漏极电流(Ids):

200 mA

 

技术参数/上升时间:

10 ns

 

技术参数/输入电容(Ciss):

140pF @10V(Vds)

 

技术参数/额定功率(Max):

500 mW

 

技术参数/下降时间:

18 ns

 

技术参数/工作温度(Max):

150 ℃

 

技术参数/耗散功率(Max):

500mW (Ta)

 

封装参数/安装方式:

Surface Mount

 

封装参数/引脚数:

4

 

封装参数/封装:

SOT-89-3

 

外形尺寸/宽度:

2.5 mm

 

外形尺寸/封装:

SOT-89-3

 

物理参数/材质:

Silicon

 

物理参数/工作温度:

150℃ (TJ)

 

其他/产品生命周期:

Active

 

其他/包装方式:

Tape & Reel (TR)

 

符合标准/RoHS标准:

RoHS Compliant

 

符合标准/含铅标准:

Lead Free

 

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型号 品牌 相似度 封装 简介 数据手册
2N7002-7-F 2N7002-7-F Multicomp 功能相似 SOT-23
2N7002-7-F 编带
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2SK3019TL 2SK3019TL ROHM 功能相似 SOT-523
ROHM 2SK3019TL 晶体管, MOSFET, 低栅极驱动器, N沟道, 100 mA, 30 V, 13 ohm, 4 V, 1.5 V
2SK3065T100 2SK3065T100 ROHM Semiconductor (罗姆半导体) 类似代替 SOT-89-3
ROHM 2SK3065T100 晶体管, MOSFET, N沟道, 2 A, 60 V, 250 mohm, 4 V, 800 mV
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