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型号: BM60212FV-CE2
描述: 低边 高边 IGBT MOSFET 灌:4.5A 拉:3.9A
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封装参数/封装:

SSOP-20

 

外形尺寸/封装:

SSOP-20

 

其他/上升/下降时间(典型值):

50ns,50ns

 

其他/输入类型:

非反相

 

其他/电压-供电:

10V ~ 24V

 

其他/通道类型:

同步

 

其他/逻辑电压 -VIL,VIH:

0.8V,2V

 

其他/高压侧电压-最大值(自举):

1200V

 

其他/工作温度:

-40°C ~ 125°C(TA)

 

其他/封装/外壳:

20-SSOP(0.240"",6.10mm 宽)

 

其他/电流-峰值输出(灌入,拉出):

4.5A,3.9A

 

其他/栅极类型:

IGBT,N 沟道 MOSFET

 

其他/驱动配置:

高压侧和低压侧

 

其他/驱动器数:

2

 

符合标准/RoHS标准:

RoHS Compliant

 

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