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技术参数/工作电压： | 5 V |
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技术参数/电容： | 65 pF |
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技术参数/无卤素状态： | Halogen Free |
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技术参数/电路数： | 1 |
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技术参数/针脚数： | 2 |
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技术参数/耗散功率： | 150 mW |
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技术参数/钳位电压： | 12.3 V |
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技术参数/测试电流： | 1 mA |
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技术参数/脉冲峰值功率： | 107 W |
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技术参数/最小反向击穿电压： | 6.2 V |
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技术参数/击穿电压： | 6.2 V |
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技术参数/工作温度(Max)： | 150 ℃ |
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技术参数/工作温度(Min)： | -55 ℃ |
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技术参数/耗散功率(Max)： | 150 mW |
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封装参数/安装方式： | Surface Mount |
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封装参数/引脚数： | 2 |
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封装参数/封装： | SOD-923-2 |
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外形尺寸/长度： | 0.85 mm |
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外形尺寸/宽度： | 0.65 mm |
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外形尺寸/高度： | 0.4 mm |
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外形尺寸/封装： | SOD-923-2 |
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物理参数/工作温度： | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
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其他/产品生命周期： | Active |
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其他/包装方式： | Tape & Reel (TR) |
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其他/制造应用： | 医用, 通用 |
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符合标准/RoHS标准： | RoHS Compliant |
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符合标准/含铅标准： | Lead Free |
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符合标准/REACH SVHC版本： | 2015/12/17 |
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海关信息/ECCN代码： | EAR99 |
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海关信息/香港进出口证： | NLR |
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| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
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BORN (伯恩半导体) | 类似代替 | DFN |
ESD 保护阵列 ### 瞬态电压抑制器，On Semiconductor
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ESD9X3.3ST5G
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ON Semiconductor (安森美) | 类似代替 | SOD-923-2 |
ON SEMICONDUCTOR ESD9X3.3ST5G. 二极管, TVS, 102W, 3.3V, SOD-923
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ESD9C5.0ST5G
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ON Semiconductor (安森美) | 类似代替 | SOD-923-2 |
ON SEMICONDUCTOR ESD9C5.0ST5G 静电保护装置, TVS, SOD-923, 2 引脚, 5 V, 150 mW 新
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