技术参数/额定电压(DC)： | -60.0 V |
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技术参数/额定电流： | -5.00 A |
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技术参数/针脚数： | 3 |
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技术参数/漏源极电阻： | 0.34 Ω |
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技术参数/极性： | P-Channel |
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技术参数/耗散功率： | 40 W |
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技术参数/阈值电压： | 2.8 V |
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技术参数/输入电容： | 510 pF |
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技术参数/栅电荷： | 20.0 nC |
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技术参数/漏源极电压(Vds)： | 60 V |
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技术参数/漏源击穿电压： | 60.0 V |
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技术参数/栅源击穿电压： | ±15.0 V |
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技术参数/连续漏极电流(Ids)： | 5.00 A |
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技术参数/上升时间： | 26 ns |
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技术参数/输入电容(Ciss)： | 510pF @25V(Vds) |
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技术参数/额定功率(Max)： | 40 W |
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技术参数/下降时间： | 19 ns |
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技术参数/工作温度(Max)： | 175 ℃ |
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技术参数/工作温度(Min)： | -55 ℃ |
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技术参数/耗散功率(Max)： | 2.1W (Ta), 40W (Tc) |
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封装参数/安装方式： | Surface Mount |
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封装参数/引脚数： | 3 |
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封装参数/封装： | TO-252-3 |
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外形尺寸/长度： | 6.73 mm |
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外形尺寸/宽度： | 6.22 mm |
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外形尺寸/高度： | 2.38 mm |
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外形尺寸/封装： | TO-252-3 |
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物理参数/工作温度： | -55℃ ~ 175℃ (TJ) |
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其他/产品生命周期： | Active |
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其他/包装方式： | Tape & Reel (TR) |
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符合标准/RoHS标准： | RoHS Compliant |
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符合标准/含铅标准： | Lead Free |
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符合标准/REACH SVHC标准： | No SVHC |
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符合标准/REACH SVHC版本： | 2018/01/15 |
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海关信息/ECCN代码： | EAR99 |
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| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
MTD6N20ET4G
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ON Semiconductor (安森美) | 类似代替 | TO-252-3 |
ON SEMICONDUCTOR MTD6N20ET4G 晶体管, MOSFET, N沟道, 6 A, 200 V, 0.46 ohm, 10 V, 3 V
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