技术参数/电源电压(DC)： | 3.30 V, 3.60 V (max) |
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技术参数/时钟频率： | 40.0 MHz, 40.0 MHz (max) |
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技术参数/存取时间： | 40.0 µs |
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技术参数/内存容量： | 8000000 B |
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技术参数/电源电压： | 2.7V ~ 3.6V |
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封装参数/安装方式： | Surface Mount |
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封装参数/引脚数： | 8 |
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封装参数/封装： | SOIC-8 |
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外形尺寸/封装： | SOIC-8 |
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物理参数/工作温度： | -40℃ ~ 85℃ (TA) |
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其他/产品生命周期： | Unknown |
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其他/包装方式： | Tube |
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符合标准/RoHS标准： | RoHS Compliant |
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符合标准/含铅标准： | Lead Free |
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| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
CAT24C512WI-GT3
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ON Semiconductor (安森美) | 功能相似 | SOIC-8 |
ON SEMICONDUCTOR CAT24C512WI-GT3 EEPROM, 512 Kbit, 64K x 8位, 1 MHz, I2C, SOIC, 8 引脚
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M25P80-VMW6G
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Micron (镁光) | 类似代替 | WSOIC-8 |
8兆位，低电压，串行闪存的40MHz SPI总线接口 8 Mbit, Low Voltage, Serial Flash Memory With 40MHz SPI Bus Interface
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||
M25P80-VMW6G
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Numonyx | 类似代替 | SOEIAJ-8 |
8兆位，低电压，串行闪存的40MHz SPI总线接口 8 Mbit, Low Voltage, Serial Flash Memory With 40MHz SPI Bus Interface
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