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型号: IXTH48N65X2
描述: N 通道功率 MOSFET,IXYS X2 系列 与功率 MOSFET 早期系列相比,IXYS X2 类功率 MOSFET 系列可显著减小电阻和栅极电荷,从而降低损耗并提高操作效率。 这些坚固的设备包含本征二极管,适用于硬切换和谐振模式应用。 X2 类功率 MOSFET 提供各种工业标准封装,包括隔离类型,具有高达 120A(650V 时)额定值。 典型应用包括:直流-直流转换器、交流和直流电动机驱动器、开关模式和谐振模式电源、直流斩波、太阳能逆变器、温度和照明控制。 极低 RDS(接通)和 QG(栅极电荷) 本质整流器二极管 低本质栅极电阻 低封装电感 工业标准封装 ### MOSFET 晶体管,IXYS IXYS 的一系列高级离散电源 MOSFET 设备
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封 装: TO-247-3
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技术参数/针脚数:

3

 

技术参数/漏源极电阻:

0.065 Ω

 

技术参数/极性:

N-Channel

 

技术参数/耗散功率:

660 W

 

技术参数/阈值电压:

5 V

 

技术参数/漏源极电压(Vds):

650 V

 

技术参数/连续漏极电流(Ids):

48A

 

技术参数/上升时间:

26 ns

 

技术参数/输入电容(Ciss):

4300pF @25V(Vds)

 

技术参数/下降时间:

15 ns

 

技术参数/工作温度(Max):

150 ℃

 

技术参数/工作温度(Min):

-55 ℃

 

技术参数/耗散功率(Max):

660W (Tc)

 

封装参数/安装方式:

Through Hole

 

封装参数/引脚数:

3

 

封装参数/封装:

TO-247-3

 

外形尺寸/长度:

16.13 mm

 

外形尺寸/宽度:

21.34 mm

 

外形尺寸/高度:

5.21 mm

 

外形尺寸/封装:

TO-247-3

 

物理参数/工作温度:

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

 

其他/产品生命周期:

Active

 

符合标准/RoHS标准:

RoHS Compliant

 

符合标准/含铅标准:

Lead Free

 

符合标准/REACH SVHC版本:

2016/06/20

 

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