技术参数/额定功率： | 110 W |
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技术参数/针脚数： | 3 |
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技术参数/漏源极电阻： | 0.027 Ω |
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技术参数/极性： | N-Channel |
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技术参数/耗散功率： | 110 W |
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技术参数/阈值电压： | 2 V |
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技术参数/漏源极电压(Vds)： | 55 V |
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技术参数/连续漏极电流(Ids)： | 42A |
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技术参数/上升时间： | 84 ns |
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技术参数/输入电容(Ciss)： | 1700pF @25V(Vds) |
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技术参数/额定功率(Max)： | 110 W |
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技术参数/下降时间： | 15 ns |
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技术参数/工作温度(Max)： | 175 ℃ |
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技术参数/工作温度(Min)： | -55 ℃ |
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技术参数/耗散功率(Max)： | 110W (Tc) |
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封装参数/安装方式： | Surface Mount |
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封装参数/引脚数： | 3 |
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封装参数/封装： | TO-252-3 |
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外形尺寸/长度： | 6.73 mm |
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外形尺寸/宽度： | 6.22 mm |
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外形尺寸/高度： | 2.39 mm |
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外形尺寸/封装： | TO-252-3 |
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物理参数/材质： | Silicon |
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物理参数/工作温度： | -55℃ ~ 175℃ (TJ) |
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其他/产品生命周期： | Active |
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其他/包装方式： | Tube |
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其他/制造应用： | Power Management, Audio, 电源管理, Industrial, 音频, 工业 |
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符合标准/RoHS标准： | RoHS Compliant |
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符合标准/含铅标准： | Lead Free |
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符合标准/REACH SVHC版本： | 2015/12/17 |
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| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
IRLR2905TRLPBF
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International Rectifier (国际整流器) | 完全替代 | TO-252-3 |
晶体管, MOSFET, N沟道, 42 A, 55 V, 0.027 ohm, 10 V, 2 V
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IRLR2905TRLPBF
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Infineon (英飞凌) | 完全替代 | TO-252-3 |
晶体管, MOSFET, N沟道, 42 A, 55 V, 0.027 ohm, 10 V, 2 V
|
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IRLR2905TRPBF
|
Infineon (英飞凌) | 类似代替 | TO-252-3 |
INFINEON IRLR2905TRPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 42 A, 55 V, 0.027 ohm, 10 V, 2 V
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IRLR2905TRPBF
|
IFA | 类似代替 |
INFINEON IRLR2905TRPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 42 A, 55 V, 0.027 ohm, 10 V, 2 V
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IRLR2905ZTRPBF
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International Rectifier (国际整流器) | 类似代替 | TO-252-3 |
HEXFET® N 通道功率 MOSFET 最大 50A，Infineon HEXFET® 电源 MOSFET 具有各种坚固的单 N 通道设备，用于为音频、消费电子产品、电动机控制和照明及家用电器提供交流到直流和直流到直流电源。 ### MOSFET 晶体管，Infineon (IR) Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。
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