芯片AI顾问
技术参数/额定功率： | 89 W |
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技术参数/针脚数： | 3 |
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技术参数/漏源极电阻： | 0.065 Ω |
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技术参数/极性： | P-Channel |
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技术参数/耗散功率： | 69 W |
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技术参数/阈值电压： | 4 V |
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技术参数/漏源极电压(Vds)： | 55 V |
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技术参数/连续漏极电流(Ids)： | 31A |
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技术参数/上升时间： | 66 ns |
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技术参数/输入电容(Ciss)： | 1200pF @25V(Vds) |
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技术参数/额定功率(Max)： | 110 W |
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技术参数/下降时间： | 63 ns |
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技术参数/工作温度(Max)： | 175 ℃ |
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技术参数/工作温度(Min)： | -55 ℃ |
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技术参数/耗散功率(Max)： | 110W (Tc) |
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封装参数/安装方式： | Through Hole |
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封装参数/引脚数： | 3 |
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封装参数/封装： | TO-251-3 |
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外形尺寸/长度： | 6.6 mm |
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外形尺寸/宽度： | 2.3 mm |
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外形尺寸/高度： | 6.1 mm |
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外形尺寸/脚长度： | 9.65 mm |
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外形尺寸/封装： | TO-251-3 |
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物理参数/材质： | Silicon |
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物理参数/工作温度： | -55℃ ~ 175℃ (TJ) |
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其他/产品生命周期： | Active |
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其他/包装方式： | Tube |
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其他/制造应用： | Power Management, 电源管理 |
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符合标准/RoHS标准： |
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符合标准/含铅标准： | Lead Free |
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符合标准/REACH SVHC版本： | 2015/12/17 |
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