| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
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IRFR13N20DPBF
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Infineon (英飞凌) | 类似代替 | TO-252-3 |
INFINEON IRFR13N20DPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 13 A, 200 V, 235 mohm, 10 V, 5.5 V
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IRFR220NPBF
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Infineon (英飞凌) | 类似代替 | TO-252-3 |
INFINEON IRFR220NPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 5 A, 200 V, 600 mohm, 10 V, 4 V
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IRFR220NPBF
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Kersemi Electronic | 类似代替 |
INFINEON IRFR220NPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 5 A, 200 V, 600 mohm, 10 V, 4 V
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IRFR9N20DPBF
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International Rectifier (国际整流器) | 类似代替 | TO-252-3 |
N 通道功率 MOSFET 8A 至 12A，Infineon Infineon 系列分离式 HEXFET® 功率 MOSFET 包括 N 通道设备，采用表面安装和引线封装。 形状系数可解决大多数板布局和热设计挑战问题。 在整个范围内，基准导通电阻减少了传导损耗，让设计人员可以提供最佳系统效率。 ### MOSFET 晶体管，Infineon (IR) ### MOSFET 晶体管，Infineon Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。
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