温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准
收藏
型号: FCPF650N80Z
描述: SuperFET® 和 SuperFET® II N 通道 MOSFET,Fairchild Semiconductor Fairchild 使用超级结技术增加了 SuperFET® II 高电压功率 MOSFET 系列。 它提供最佳坚固主体二极管性能,适用于要求高功率密度、系统效率和可靠性的交流-直流开关模式电源 (SMPS) 应用,如服务器、电信、计算、工业电源、UPS/ESS、太阳能逆变器和照明应用。 利用先进的电荷平衡技术,设计人员可实现更高效经济的高性能解决方案,可占用更少板空间并提高可靠性。 ### MOSFET 晶体管,Fairchild Semiconductor Fairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
商品二维码
封 装: TO-220-3
货 期:
包装方式: Rail, Tube
标准包装数: 1
11.16  元 11.16元
5+:
¥ 13.0572
50+:
¥ 12.4992
200+:
¥ 12.1867
500+:
¥ 12.1086
1000+:
¥ 12.0305
2500+:
¥ 11.9412
5000+:
¥ 11.8854
7500+:
¥ 11.8296
数量
5+
50+
200+
500+
1000+
价格
13.0572
12.4992
12.1867
12.1086
12.0305
价格 13.0572 12.4992 12.1867 12.1086 12.0305
起批量 5+ 50+ 200+ 500+ 1000+
  • 运费   有货 运费价格:¥13.00
  • 数量
    库存(9716) 起订量(5)
加入购物车 立即购买
欢迎使用亿配芯城AI助手
芯片AI助手  芯片AI顾问
相关文件下载:
PDF
  • 失望
  • 一般
  • 满意
  • 喜欢
  • 超爱

技术参数/通道数:

1

 

技术参数/极性:

N-CH

 

技术参数/耗散功率:

30.5 W

 

技术参数/阈值电压:

4.5 V

 

技术参数/漏源极电压(Vds):

800 V

 

技术参数/连续漏极电流(Ids):

10A

 

技术参数/上升时间:

11 ns

 

技术参数/输入电容(Ciss):

1565pF @100V(Vds)

 

技术参数/下降时间:

3.4 ns

 

技术参数/工作温度(Max):

150 ℃

 

技术参数/工作温度(Min):

-55 ℃

 

技术参数/耗散功率(Max):

30.5W (Tc)

 

封装参数/安装方式:

Through Hole

 

封装参数/引脚数:

3

 

封装参数/封装:

TO-220-3

 

外形尺寸/长度:

10.36 mm

 

外形尺寸/宽度:

4.9 mm

 

外形尺寸/高度:

16.07 mm

 

外形尺寸/封装:

TO-220-3

 

物理参数/工作温度:

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

 

其他/产品生命周期:

Active

 

其他/包装方式:

Rail, Tube

 

符合标准/RoHS标准:

RoHS Compliant

 

符合标准/含铅标准:

无铅

 

最有帮助的评价

  只显示带图评价

最新评价

加载更多

暂时还没有评价

期待你分享科技带来的乐趣

提问
抱歉,没有找到答案,您可以点击“提问”提交此条提问给已经购买者、Suteshop商城官方客服和产品经理,我们会及时回复。

暂时还没有提问

对商品还不太了解,问问看吧

加载更多
    暂无数据

替代料

型号 品牌 相似度 封装 简介 数据手册

©Copyright 2013-2025 亿配芯城(深圳)电子科技有限公司 粤ICP备17008354号

Scroll

对比栏

展开

对比

清空