芯片AI顾问
技术参数/频率： | 250 MHz |
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技术参数/额定电压(DC)： | 45.0 V |
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技术参数/额定电流： | 100 mA |
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技术参数/极性： | NPN |
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技术参数/耗散功率： | 330 mW |
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技术参数/击穿电压(集电极-发射极)： | 45 V |
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技术参数/集电极最大允许电流： | 0.1A |
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技术参数/最小电流放大倍数(hFE)： | 480 @10µA, 5V |
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技术参数/额定功率(Max)： | 330 mW |
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技术参数/耗散功率(Max)： | 330 mW |
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封装参数/安装方式： | Surface Mount |
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封装参数/引脚数： | 3 |
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封装参数/封装： | SOT-23 |
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外形尺寸/封装： | SOT-23 |
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物理参数/工作温度： | -65℃ ~ 150℃ |
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其他/产品生命周期： | End of Life |
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其他/包装方式： | Cut Tape (CT) |
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符合标准/RoHS标准： | RoHS Compliant |
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符合标准/含铅标准： | Lead Free |
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符合标准/REACH SVHC标准： | No SVHC |
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| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
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Leshan Radio (乐山无线电) | 功能相似 |
NPN 晶体管，ON Semiconductor 这些 ON Semiconductor 双极晶体管可放大模拟或数字信号。 它们还可切换直流或用作振荡器。 ### 标准 Manufacturer Part Nos with S or NSV prefix are automotive qualified to AEC-Q101 standard.
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BC847ALT1G
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ON Semiconductor (安森美) | 功能相似 | SOT-23-3 |
ON SEMICONDUCTOR BC847ALT1G 单晶体管 双极, 通用, NPN, 45 V, 100 MHz, 300 mW, 100 mA, 100 hFE
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BC847CLT1G
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ON Semiconductor (安森美) | 功能相似 | SOT-23-3 |
ON SEMICONDUCTOR BC847CLT1G 单晶体管 双极, 通用, NPN, 45 V, 100 MHz, 300 mW, 100 mA, 100 hFE
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