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技术参数/电源电压(DC)： | 4.50V (min) |
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技术参数/针脚数： | 32 |
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技术参数/位数： | 8 |
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技术参数/存取时间： | 70 ns |
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技术参数/内存容量： | 500000 B |
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技术参数/存取时间(Max)： | 70 ns |
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技术参数/工作温度(Max)： | 70 ℃ |
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技术参数/工作温度(Min)： | 0 ℃ |
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技术参数/电源电压： | 4.5V ~ 5.5V |
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技术参数/电源电压(Max)： | 5.5 V |
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技术参数/电源电压(Min)： | 4.5 V |
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封装参数/安装方式： | Through Hole |
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封装参数/引脚数： | 32 |
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封装参数/封装： | DIP |
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外形尺寸/封装： | DIP |
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物理参数/工作温度： | 0℃ ~ 70℃ |
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其他/产品生命周期： | Unknown |
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其他/包装方式： | Each |
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符合标准/RoHS标准： | RoHS Compliant |
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符合标准/含铅标准： | Lead Free |
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符合标准/REACH SVHC版本： | 2015/06/15 |
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| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
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Silicon Storage Tech | 类似代替 | PDIP |
SST39SF010A/020A/040 并行 SuperFlash® 存储器 Microchip 的 SST39SF010A/020A/040 系列设备为并行多用途 SuperFlash® 存储集成电路。 ### 特点 4.5-5.5V 读写操作 寿命 - 100,000 次循环（典型） 低功耗 - 有源电流 10 mA，待机电流 30 μA（14 MHz 时的典型值） 扇区擦除能力 - 均匀 4 K 扇区 读取访问时间 - 55 至 70 ns 扇区擦除时间 18 ms 芯片擦除时间：70 ms（典型） 字节编程时间 - 14 μs（典型） 芯片重写时间 – SST39SF010A 2 秒、SST39SF020A 4 秒、SST39SF040 8 秒（典型值） 锁存地址和数据 自动写入计时 - 内部 VPP 生成 写入结束检测 - 触发位 - 数据# 轮询 TTL 输入/输出兼容性 JEDEC 标准 - 闪存 EEPROM 引脚输出和命令套件 ### 闪存，Microchip
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