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型号: VNP10N07-E
描述: STMICROELECTRONICS VNP10N07-E 晶体管, MOSFET, N沟道, 10 A, 70 V, 100 mohm, 10 V, 3 V
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封 装: TO-220-3
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包装方式: Tube
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技术参数/额定功率:

50 W

 

技术参数/输出接口数:

1

 

技术参数/输出电流:

120 A

 

技术参数/供电电流:

0.25 mA

 

技术参数/通道数:

1

 

技术参数/针脚数:

3

 

技术参数/漏源极电阻:

0.1 Ω

 

技术参数/极性:

N-Channel

 

技术参数/耗散功率:

50 W

 

技术参数/阈值电压:

3 V

 

技术参数/漏源极电压(Vds):

70 V

 

技术参数/漏源击穿电压:

70.0 V

 

技术参数/连续漏极电流(Ids):

5.00 A

 

技术参数/输入电压(Max):

18 V

 

技术参数/输出电流(Max):

7 A

 

技术参数/输入数:

1

 

技术参数/工作温度(Max):

150 ℃

 

技术参数/工作温度(Min):

-40 ℃

 

技术参数/输入电压:

18 V

 

封装参数/安装方式:

Through Hole

 

封装参数/引脚数:

3

 

封装参数/封装:

TO-220-3

 

外形尺寸/长度:

10.4 mm

 

外形尺寸/宽度:

4.6 mm

 

外形尺寸/高度:

15.75 mm

 

外形尺寸/封装:

TO-220-3

 

物理参数/工作温度:

-55℃ ~ 150℃

 

其他/产品生命周期:

Active

 

其他/包装方式:

Tube

 

其他/制造应用:

Motor Drive & Control, 工业, 电机驱动与控制, Industrial

 

符合标准/RoHS标准:

RoHS Compliant

 

符合标准/含铅标准:

Lead Free

 

符合标准/REACH SVHC标准:

No SVHC

 

符合标准/REACH SVHC版本:

2015/12/17

 

海关信息/ECCN代码:

EAR99

 

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