技术参数/电路数: | 1 |
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技术参数/通道数: | 2 |
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技术参数/针脚数: | 8 |
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技术参数/共模抑制比: | 70 dB |
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技术参数/输入补偿电压: | 5 mV |
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技术参数/工作温度(Max): | 125 ℃ |
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技术参数/工作温度(Min): | -40 ℃ |
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技术参数/电源电压: | 2.7V ~ 5.5V |
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封装参数/安装方式: | Surface Mount |
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封装参数/引脚数: | 8 |
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封装参数/封装: | SOIC-8 |
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外形尺寸/封装: | SOIC-8 |
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物理参数/工作温度: | -40℃ ~ 125℃ |
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其他/产品生命周期: | Active |
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其他/包装方式: | Tube |
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其他/制造应用: | 测试与测量, 自动化与过程控制, 通信与网络, 传感与仪器, 便携式器材 |
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符合标准/RoHS标准: | RoHS Compliant |
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符合标准/含铅标准: | Lead Free |
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型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
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National Semiconductor (美国国家半导体) | 类似代替 | 8 |
TLV 系列低电压比较器 ### 比较器,Texas Instruments Texas Instruments 系列电压比较器不仅包括传统单、双和四路比较器封装,还包括窗口比较器及过压和欠压监控器。 尽管比较器和运算放大器表面上是相似的设备,但它们在实用应用中的操作大大不同。 运算放大器适用于线性操作,附带适当反馈,而比较器定制用于快速切换且通常在开路模式中操作。 专用电压比较器具有明显较短的传播延迟,且可在饱和条件下具有更快的响应时间。 大多数比较器还更耐受高差分输入电压,且很多比较器具有开路集电极输出,从而可与其他设备并联操作。
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