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技术参数/输出电流： | ≤80 mA |
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技术参数/供电电流： | 625 μA |
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技术参数/电路数： | 2 |
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技术参数/通道数： | 2 |
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技术参数/针脚数： | 8 |
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技术参数/共模抑制比： | 65 dB |
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技术参数/输入补偿漂移： | 6.00 µV/K |
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技术参数/带宽： | 1.8 MHz |
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技术参数/转换速率： | 3.40 V/μs |
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技术参数/增益频宽积： | 2 MHz |
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技术参数/输入补偿电压： | 900 μV |
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技术参数/输入偏置电流： | 4 pA |
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技术参数/工作温度(Max)： | 85 ℃ |
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技术参数/工作温度(Min)： | -40 ℃ |
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技术参数/共模抑制比(Min)： | 65 dB |
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封装参数/安装方式： | Surface Mount |
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封装参数/引脚数： | 8 |
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封装参数/封装： | SOIC-8 |
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外形尺寸/长度： | 4.9 mm |
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外形尺寸/宽度： | 3.91 mm |
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外形尺寸/高度： | 1.5 mm |
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外形尺寸/封装： | SOIC-8 |
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物理参数/工作温度： | -40℃ ~ 85℃ |
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其他/产品生命周期： | Active |
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其他/包装方式： | Tape & Reel (TR) |
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符合标准/RoHS标准： | RoHS Compliant |
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符合标准/含铅标准： | Lead Free |
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符合标准/REACH SVHC版本： | 2015/06/15 |
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| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
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TLE2062CDR
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TI (德州仪器) | 类似代替 | SOIC-8 |
TEXAS INSTRUMENTS TLE2062CDR 芯片, 运算放大器, JFET, 2MHZ, 2路, 8SOIC
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