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型号: STP20NK50Z
描述: STMICROELECTRONICS STP20NK50Z 晶体管, MOSFET, N沟道, 17 A, 500 V, 270 mohm, 10 V, 3.75 V
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封 装: TO-220-3
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包装方式: Tube
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技术参数/额定电压(DC):

500 V

 

技术参数/额定电流:

17.0 A

 

技术参数/针脚数:

3

 

技术参数/漏源极电阻:

270 mΩ

 

技术参数/极性:

N-Channel

 

技术参数/耗散功率:

190 W

 

技术参数/阈值电压:

3.75 V

 

技术参数/输入电容:

2600 pF

 

技术参数/漏源极电压(Vds):

500 V

 

技术参数/漏源击穿电压:

500 V

 

技术参数/栅源击穿电压:

±30.0 V

 

技术参数/连续漏极电流(Ids):

17.0 A

 

技术参数/上升时间:

20 ns

 

技术参数/输入电容(Ciss):

2600pF @25V(Vds)

 

技术参数/额定功率(Max):

190 W

 

技术参数/下降时间:

15 ns

 

技术参数/工作温度(Max):

150 ℃

 

技术参数/工作温度(Min):

-55 ℃

 

技术参数/耗散功率(Max):

190W (Tc)

 

封装参数/安装方式:

Through Hole

 

封装参数/引脚数:

3

 

封装参数/封装:

TO-220-3

 

外形尺寸/长度:

10.4 mm

 

外形尺寸/宽度:

4.6 mm

 

外形尺寸/高度:

15.75 mm

 

外形尺寸/封装:

TO-220-3

 

物理参数/工作温度:

-50℃ ~ 150℃ (TJ)

 

其他/产品生命周期:

Active

 

其他/包装方式:

Tube

 

其他/制造应用:

Power Management, Industrial

 

符合标准/RoHS标准:

RoHS Compliant

 

符合标准/含铅标准:

Lead Free

 

符合标准/REACH SVHC标准:

No SVHC

 

符合标准/REACH SVHC版本:

2015/12/17

 

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