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技术参数/通道数： | 1 |
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技术参数/针脚数： | 3 |
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技术参数/漏源极电阻： | 5.4 Ω |
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技术参数/极性： | N-Channel |
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技术参数/耗散功率： | 90 W |
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技术参数/阈值电压： | 3.75 V |
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技术参数/漏源极电压(Vds)： | 1 kV |
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技术参数/上升时间： | 7.5 ns |
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技术参数/输入电容(Ciss)： | 601pF @25V(Vds) |
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技术参数/额定功率(Max)： | 90 W |
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技术参数/下降时间： | 32 ns |
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技术参数/工作温度(Max)： | 150 ℃ |
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技术参数/工作温度(Min)： | -55 ℃ |
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技术参数/耗散功率(Max)： | 90W (Tc) |
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封装参数/安装方式： | Surface Mount |
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封装参数/引脚数： | 3 |
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封装参数/封装： | TO-252-3 |
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外形尺寸/长度： | 6.6 mm |
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外形尺寸/宽度： | 6.2 mm |
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外形尺寸/高度： | 2.4 mm |
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外形尺寸/封装： | TO-252-3 |
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物理参数/工作温度： | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
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其他/产品生命周期： | Active |
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其他/包装方式： | Tape & Reel (TR) |
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其他/制造应用： | Power Management, 电源管理, 工业, Industrial |
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符合标准/RoHS标准： | RoHS Compliant |
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符合标准/含铅标准： | Lead Free |
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符合标准/REACH SVHC标准： | No SVHC |
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符合标准/REACH SVHC版本： | 2015/12/17 |
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海关信息/ECCN代码： | EAR99 |
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| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
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Sanyo Semiconductor (三洋) | 功能相似 | 3 |
Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 500V, 0.7ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET,
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FUJI (富士电机) | 功能相似 |
Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 500V, 0.7ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET,
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FQD2N100TM
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ON Semiconductor (安森美) | 功能相似 | TO-252-3 |
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FQD2N100TM 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 1.6 A, 1 kV, 7.1 ohm, 10 V, 5 V
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FQD2N100TM
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Fairchild (飞兆/仙童) | 功能相似 | TO-252-3 |
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FQD2N100TM 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 1.6 A, 1 kV, 7.1 ohm, 10 V, 5 V
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