技术参数/通道数： | 1 |
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技术参数/漏源极电阻： | 1.00 kΩ |
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技术参数/极性： | N-Channel |
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技术参数/耗散功率： | 0.74 W |
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技术参数/漏源极电压(Vds)： | 500 V |
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技术参数/漏源击穿电压： | 500 V |
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技术参数/栅源击穿电压： | ±20.0 V |
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技术参数/连续漏极电流(Ids)： | 30.0 mA |
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封装参数/安装方式： | Through Hole |
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封装参数/引脚数： | 3 |
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封装参数/封装： | TO-226-3 |
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外形尺寸/宽度： | 4.19 mm |
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外形尺寸/封装： | TO-226-3 |
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物理参数/工作温度： | -55℃ ~ 150℃ |
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其他/产品生命周期： | Unknown |
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其他/包装方式： | Bag |
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符合标准/RoHS标准： | RoHS Compliant |
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符合标准/含铅标准： | Lead Free |
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海关信息/ECCN代码： | EAR99 |
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海关信息/HTS代码： | 8541900000 |
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| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
LND150N3-G
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Supertex (超科) | 功能相似 | TO-226-3 |
Supertex N 通道耗尽型 MOSFET 晶体管 Microchip 的 Supertex 系列 N 通道耗尽型 DMOS FET 晶体管适用于要求高击穿电压、高输入阻抗、低输入电容和切换速度快的应用。 ### 特点 高输入阻抗 低输入电容 切换速度快 低接通电阻 无次级击穿 低输入和输出泄漏 ### 典型应用 常开开关 固态继电器 转换器 线性放大器 恒定电流源 电源电路 电信 ### MOSFET 晶体管，Microchip
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