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技术参数/通道数： | 1 |
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技术参数/漏源极电阻： | 150 mΩ |
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技术参数/耗散功率： | 2.8 W |
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技术参数/阈值电压： | 650 mV |
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技术参数/漏源极电压(Vds)： | 20 V |
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技术参数/漏源击穿电压： | 20 V |
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技术参数/上升时间： | 8 ns |
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技术参数/输入电容(Ciss)： | 2120pF @10V(Vds) |
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技术参数/下降时间： | 13 ns |
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技术参数/工作温度(Max)： | 150 ℃ |
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技术参数/工作温度(Min)： | 55 ℃ |
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技术参数/耗散功率(Max)： | 2.8W (Ta), 96W (Tc) |
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封装参数/安装方式： | Surface Mount |
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封装参数/引脚数： | 8 |
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封装参数/封装： | VSON-Clip-8 |
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外形尺寸/长度： | 3.3 mm |
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外形尺寸/宽度： | 3.3 mm |
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外形尺寸/高度： | 1 mm |
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外形尺寸/封装： | VSON-Clip-8 |
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物理参数/工作温度： | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
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其他/产品生命周期： | 正在供货 |
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其他/包装方式： | Tape & Reel (TR) |
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符合标准/RoHS标准： | RoHS Compliant |
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符合标准/含铅标准： | Contains Lead |
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| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
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CSD25404Q3T
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TI (德州仪器) | 类似代替 | VSON-Clip-8 |
-20V、P 沟道 NexFET MOSFET™、单路、SON 3x3、6.5mΩ 8-VSON-CLIP -55 to 150
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CSD25402Q3A
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TI (德州仪器) | 功能相似 | VSON-8 |
TEXAS INSTRUMENTS CSD25402Q3A 晶体管, MOSFET, P沟道, -35 A, -20 V, 0.0077 ohm, -4.5 V, 900 mV
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