温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准
收藏
型号: AUIRLR3410
描述: N 通道功率 MOSFET,Infineon Infineon 的全面 AECQ-101 汽车资格单芯片 N 通道设备组合可满足许多应用中的多种电源要求。 该分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 N 通道设备,外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内,基准导通电阻减少了传导损耗,让设计人员可以提供最佳系统效率。 ### MOSFET 晶体管,Infineon (IR) Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度,且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品,从电动机控制到照明和家用电器。
商品二维码
封 装: TO-252-3
货 期:
包装方式: Rail, Tube
标准包装数: 1
8.43  元 8.43元
10-99:
¥ 10.1160
100-499:
¥ 9.6102
500-999:
¥ 9.2730
1000-1999:
¥ 9.2561
2000-4999:
¥ 9.1887
5000-7499:
¥ 9.1044
7500-9999:
¥ 9.0370
≥10000:
¥ 9.0032
数量
10-99
100-499
500-999
1000-1999
2000-4999
价格
10.1160
9.6102
9.2730
9.2561
9.1887
价格 10.1160 9.6102 9.2730 9.2561 9.1887
起批量 10-99 100-499 500-999 1000-1999 2000-4999
  • 运费   有货 运费价格:¥13.00
  • 数量
    库存(4400) 起订量(10)
加入购物车 立即购买
欢迎使用亿配芯城AI助手
芯片AI助手  芯片AI顾问
相关文件下载:
PDF
  • 失望
  • 一般
  • 满意
  • 喜欢
  • 超爱

技术参数/额定功率:

79 W

 

技术参数/极性:

N-CH

 

技术参数/耗散功率:

79 W

 

技术参数/漏源极电压(Vds):

100 V

 

技术参数/连续漏极电流(Ids):

17A

 

技术参数/上升时间:

53 ns

 

技术参数/输入电容(Ciss):

800pF @25V(Vds)

 

技术参数/下降时间:

26 ns

 

技术参数/工作温度(Max):

175 ℃

 

技术参数/工作温度(Min):

-55 ℃

 

技术参数/耗散功率(Max):

79W (Tc)

 

封装参数/安装方式:

Surface Mount

 

封装参数/引脚数:

3

 

封装参数/封装:

TO-252-3

 

外形尺寸/长度:

6.73 mm

 

外形尺寸/宽度:

6.22 mm

 

外形尺寸/高度:

2.39 mm

 

外形尺寸/封装:

TO-252-3

 

物理参数/工作温度:

-55℃ ~ 175℃ (TJ)

 

其他/产品生命周期:

Active

 

其他/包装方式:

Rail, Tube

 

符合标准/RoHS标准:

RoHS Compliant

 

符合标准/含铅标准:

Lead Free

 

最有帮助的评价

  只显示带图评价

最新评价

加载更多

暂时还没有评价

期待你分享科技带来的乐趣

提问
抱歉,没有找到答案,您可以点击“提问”提交此条提问给已经购买者、Suteshop商城官方客服和产品经理,我们会及时回复。

暂时还没有提问

对商品还不太了解,问问看吧

加载更多
    暂无数据

©Copyright 2013-2025 亿配芯城(深圳)电子科技有限公司 粤ICP备17008354号

Scroll

对比栏

展开

对比

清空