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型号: VNS1NV04D
描述: “ OMNIFET II ” :全AUTOPROTECTED功率MOSFET “OMNIFET II”: FULLY AUTOPROTECTED POWER MOSFET
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封 装: SOIC
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包装方式: Tube
标准包装数: 1
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技术参数/通道数:

2

 

技术参数/漏源极电阻:

250 mΩ

 

技术参数/极性:

N-Channel

 

技术参数/耗散功率:

4 W

 

技术参数/阈值电压:

2.5 V

 

技术参数/漏源极电压(Vds):

55 V

 

技术参数/漏源击穿电压:

40.0 V

 

技术参数/连续漏极电流(Ids):

1.70 A

 

技术参数/钳位电压:

45 V

 

封装参数/安装方式:

Surface Mount

 

封装参数/引脚数:

8

 

封装参数/封装:

SOIC

 

外形尺寸/封装:

SOIC

 

其他/产品生命周期:

Active

 

其他/包装方式:

Tube

 

符合标准/RoHS标准:

Non-Compliant

 

符合标准/含铅标准:

Contains Lead

 

符合标准/REACH SVHC标准:

No SVHC

 

符合标准/REACH SVHC版本:

2015/12/17

 

海关信息/ECCN代码:

EAR99

 

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