技术参数/电源电压(DC): | 10.0V (min) |
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技术参数/输出接口数: | 4 |
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技术参数/输出电流: | 700 mA |
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技术参数/供电电流: | 6 mA |
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技术参数/针脚数: | 10 |
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技术参数/输出电流(Max): | 700 mA |
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技术参数/输出电流(Min): | 0.7 A |
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技术参数/输入数: | 4 |
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技术参数/工作温度(Max): | 125 ℃ |
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技术参数/工作温度(Min): | -40 ℃ |
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技术参数/电源电压: | 10V ~ 36V |
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技术参数/电源电压(Max): | 36 V |
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技术参数/电源电压(Min): | 10 V |
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封装参数/安装方式: | Surface Mount |
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封装参数/引脚数: | 10 |
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封装参数/封装: | PowerSO-10 |
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外形尺寸/长度: | 9.5 mm |
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外形尺寸/宽度: | 7.6 mm |
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外形尺寸/高度: | 3.65 mm |
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外形尺寸/封装: | PowerSO-10 |
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物理参数/工作温度: | -40℃ ~ 125℃ (TJ) |
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其他/产品生命周期: | Active |
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其他/包装方式: | Tube |
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其他/制造应用: | Power Management, 电源管理 |
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符合标准/RoHS标准: | RoHS Compliant |
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符合标准/含铅标准: | Lead Free |
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符合标准/REACH SVHC标准: | No SVHC |
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符合标准/REACH SVHC版本: | 2015/12/17 |
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海关信息/ECCN代码: | EAR99 |
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型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
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ST Microelectronics (意法半导体) | 功能相似 | PowerSO-10 |
四高侧智能功率固态继电器 QUAD HIGH SIDE SMART POWER SOLID STATE RELAY
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ST Microelectronics (意法半导体) | 完全替代 | PowerSO-10 |
STMicroelectronics 智能高侧开关提供一个或多个通道 MOSFET 输出开关,用于驱动电感、电容和电阻负载。 Multipower BCD 技术 0.5A 四个独立输出 电源电压范围:9.5 至 35V 内部电流限制 非耗散过电流保护 热关闭 带磁滞的欠压闭锁 针对欠压、过热和过电流的诊断输出 外部异步重置输入 针对过电流可预设延迟 ### 电源和负载开关,Toshiba 集成高侧和低侧智能电源开关电路包含很多功能性和保护特征,如过电流、过电压、短路、断路负载、过温度和电源逆转。 这些高度集成设备利用低接通电阻 MOSFET 晶体管,以最小化功耗并保持高效率。
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