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型号: STP20NF20
描述: STMICROELECTRONICS STP20NF20 晶体管, MOSFET, N沟道, 18 A, 200 V, 125 mohm, 10 V, 3 V
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封 装: TO-220-3
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包装方式: Tube
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技术参数/额定电压(DC):

200 V

 

技术参数/额定电流:

18.0 A

 

技术参数/针脚数:

3

 

技术参数/漏源极电阻:

0.125 Ω

 

技术参数/极性:

N-Channel

 

技术参数/耗散功率:

90 W

 

技术参数/阈值电压:

3 V

 

技术参数/输入电容:

940 pF

 

技术参数/栅电荷:

28.0 nC

 

技术参数/漏源极电压(Vds):

200 V

 

技术参数/漏源击穿电压:

200 V

 

技术参数/连续漏极电流(Ids):

18.0 A

 

技术参数/上升时间:

30 ns

 

技术参数/输入电容(Ciss):

940pF @25V(Vds)

 

技术参数/额定功率(Max):

90 W

 

技术参数/下降时间:

10 ns

 

技术参数/工作温度(Max):

150 ℃

 

技术参数/工作温度(Min):

-55 ℃

 

技术参数/耗散功率(Max):

110W (Tc)

 

封装参数/安装方式:

Through Hole

 

封装参数/引脚数:

3

 

封装参数/封装:

TO-220-3

 

外形尺寸/长度:

10.4 mm

 

外形尺寸/宽度:

4.6 mm

 

外形尺寸/高度:

15.75 mm

 

外形尺寸/封装:

TO-220-3

 

物理参数/工作温度:

-55℃ ~ 175℃ (TJ)

 

其他/产品生命周期:

Active

 

其他/包装方式:

Tube

 

其他/制造应用:

工业, Industrial, 电源管理, Power Management

 

符合标准/RoHS标准:

RoHS Compliant

 

符合标准/含铅标准:

Lead Free

 

符合标准/REACH SVHC标准:

No SVHC

 

符合标准/REACH SVHC版本:

2015/12/17

 

海关信息/ECCN代码:

EAR99

 

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IRF640NPBF IRF640NPBF IFC 功能相似
INTERNATIONAL RECTIFIER IRF640NPBF 场效应管, MOSFET, N沟道, 200V, 18A, TO-220AB 新

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